Transistor IGBT RGW40N120F1A
di potenza

Transistor IGBT - RGW40N120F1A - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - di potenza
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di potenza
Corrente

40 A

Tensione

1.200 V

Descrizione

CARATTERISTICHE -Alta tensione di guasto fino a 1200V per una maggiore affidabilità -Offerta della tecnologiarench-stop : >Commutazione ad alta velocità >Elevata robustezza, stabile alla temperatura >VcEsat basso >Facilità di commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VcEsat - Maggiore capacità valanghe CANDIDATURA -Alimentatori di continuità -Inverter solare -Saldatura -Applicazioni PFC

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VIDEO

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.