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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... combinate con ottime prestazioni di commutazione graduale e un’area operativa di sicurezza (SOA) che batte ogni record. I nuovi moduli IGBT 62Pak e LoPak di media potenza a commutazione ...
Corrente: 100 mA
Tensione: 50 V
... -AQ: conforme a AEC-Q101 x) Caratteristiche Azionamento del gate a livello logico Bassa capacità di ingresso Tempi di commutazione rapidi Conforme a RoHS (senza esenzione), REACH, Conflict Minerals l) ...
Diotec
Corrente: 3,2 A
Tensione: 650 V
... Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 *) Caratteristiche Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS ...
Diotec
Corrente: 2,3, 3,2 mA
Tensione: 650 V
... Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 *) Caratteristiche Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS ...
Diotec
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
Corrente: 20 A
Tensione: 650 V
... rottura elettrostatica fino a 3,5kV, garantendo una maggiore affidabilità dell'applicazione. Le caratteristiche di commutazione ad alta velocità dei GaN HEMT contribuiscono inoltre a una maggiore miniaturizzazione ...
ROHM Semiconductor
Tensione: 60 V
... Transistor NPN al silicio epitassiale Applicazioni Questo prodotto è di uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse. ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta ...
STMicroelectronics
Tensione: 50 V
... Semiconductor CMKT3920 (due singoli transistor NPN) è una doppia combinazione in uno spazio pacchetto SOT-363 ULTRAmini™ a risparmio, progettato per piccoli amplificatori di segnale per uso generale e applicazioni di ...
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse ...
Diodes Incorporated
... Caratteristiche: - IGBT a gate di trincea con arresto di campo - Corto circuito nominale>10ps - - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA testato (2*lc) - Bassa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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