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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... combinate con ottime prestazioni di commutazione graduale e un’area operativa di sicurezza (SOA) che batte ogni record. I nuovi moduli IGBT 62Pak e LoPak di media potenza a commutazione veloce presentano ...
Tensione: 60 V
... Transistor NPN al silicio epitassiale Applicazioni Questo prodotto è di uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse. ...
Onsemi
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 95 A
Tensione: 40 V
... RH6G040BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e pacchetto ad alta potenza, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Pacchetto ad alta potenza con stampo piccolo (HSMT8) Placcatura senza Pb; conforme ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo utilizza ...
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO (V): 50 VCE ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Tensione: 50, 60, 7 V
... Il CMKT3920 di Central Semiconductor (due transistor NPN singoli) è una combinazione duale in un contenitore SOT-363 ULTRAmini™ di minimo ingombro, progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori generici ...
Corrente: 100 mA
Tensione: 60, 50 V
... Applicazioni tipiche Controlli digitali Commutazione, elaborazione del segnale Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 x) Caratteristiche Risparmio di costi e di spazio grazie ...
Diotec
... Caratteristiche: - IGBT a gate di trincea con arresto di campo - Corto circuito nominale>10ps - - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA testato (2*lc) - Bassa induttanza di dispersione - ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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