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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensione: 600 V
... La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo ...
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Corrente: 100 mA
Tensione: 60, 50 V
... Applicazioni tipiche Controlli digitali Commutazione, elaborazione del segnale Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101) Suffisso -AQ: in qualifica AEC-Q101 x) Caratteristiche Risparmio di costi ...
Diotec
Corrente: 20 A - 300 A
Tensione: 1.200, 650 V
... Trench Gate e Fieldstop Velocità di commutazione rapida Sorgente Kelvin per una commutazione rapida e ridotto livello di rumore al gate Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore Possibilità ...
Diotec
Corrente: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Tensione: 60 V
... driver Grado commerciale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101*) Suffisso -AQ: conforme a AEC-Q101 *) Caratteristiche Tempi di commutazione rapidi Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals L) ...
Diotec
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, ...
Fairchild Semiconductor
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensione: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... combinate con ottime prestazioni di commutazione graduale e un’area operativa di sicurezza (SOA) che batte ogni record. I nuovi moduli IGBT 62Pak e LoPak di media potenza a commutazione ...
Corrente: 95 A
Tensione: 40 V
... RH6G040BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e pacchetto ad alta potenza, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Pacchetto ad alta potenza con stampo piccolo (HSMT8) Placcatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta ...
STMicroelectronics
Tensione: 50 V
... Semiconductor CMKT3920 (due singoli transistor NPN) è una doppia combinazione in uno spazio pacchetto SOT-363 ULTRAmini™ a risparmio, progettato per piccoli amplificatori di segnale per uso generale e applicazioni di ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse ...
Diodes Incorporated
... Caratteristiche: - IGBT a gate di trincea con arresto di campo - Corto circuito nominale>10ps - - Bassa tensione di saturazione - Bassa perdita di commutazione - 100% RBSOA testato (2*lc) - Bassa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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