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- Diodes Incorporated
Transistor bipolare DMB seriesMOSFETdi commutazione
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Caratteristiche
- Tipo
- bipolare, MOSFET
- Tecnologia
- di commutazione
- Tensione
20 V, 50 V
Descrizione
MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto
Bassa resistenza al fuoco
Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione veloce
Basse perdite di ingresso/uscita
Pacchetto per montaggio superficiale ultra piccolo
Piombo, senza alogeni e antimonio, conforme alla direttiva RoHS (Nota 2)
MOSFET Gate protetto ESD fino a 2kV
Dispositivo "verde" (Nota 3)
Qualificato secondo gli standard AEC-Q101 per l'alta affidabilità
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Cataloghi
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