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Corrente: -0,5 A
Tensione: -50 V
... 50A02CH è un transistor bipolare a bassa VCE(sat), PNP singolo per applicazioni di amplificatori generici a bassa frequenza. Applicazioni Amplificatore a bassa frequenza Commutazione ad alta velocità Azionamento di piccoli motori Circuito ...
Onsemi
Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensione: 36 V - 70 V
... La ST offre un'ampia gamma di interruttori low-side intelligenti (OMNIFET) a 3 e 5 pin di tipo automobilistico, basati sulla tecnologia VIPower (vertical intelligent power). Questa tecnologia proprietaria consente l'integrazione di circuiti di controllo ...
STMicroelectronics
Tensione: 7,5 V
... Stadio di uscita per radio portatili in banda UHF Stadio di uscita per radio portatili 700-800 MHz Driver generico da 6 W per transistor dello stadio finale ISM e broadcast ...
Tensione: 110, 265 V
... Descrizione TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET di potenza 700 V, una sorgente di corrente commutata ad alta tensione, controllo PWM, oscillatore, circuito di spegnimento termico, protezione da guasti e altri circuiti di controllo su un dispositivo monolitico. Costi ...
Power Integrations
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO (V): 50 VCE ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita Pacchetto ...
Diodes Incorporated
Tensione: 45 V
... I tipi BCX51, BCX52 e BCX53 di CENTRAL SEMICONDUCTOR sono transistori al silicio PNP prodotti con processo planare epitassiale, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettati per applicazioni di amplificatori ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 mA - 20 mA
Tensione: 2,7 V
Broadcom
... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura di rumore e ...
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