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Corrente: -16,4 A
Tensione: -60 V
... Panoramica
- IPD900P06NM è un MOSFET di potenza canale P progettato per applicazioni di commutazione e gestione dell'alimentazione.
- Tecnologia: OptiMOS™
- Polarità: P (canale P)
- Package tipico: DPAK (TO-252)
Parametri ...
Infineon Technologies AG
Tensione: -60 V
... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -6,5 A
Tensione: -60 V
... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -3,2 A
Tensione: -60 V
... resistenza alle valanghe rendono i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Bassa resistenza allo stato conduttivo Testati al 100% contro le scariche a valanga ...
Infineon Technologies AG
... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -100 A
Tensione: -60 V
... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -0,29 A
Tensione: -60 V
... commutazione rapida e alla resistenza alle valanghe, i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon sono adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Testati al 100% contro le valanghe Placcatura ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -0,55 A
Tensione: -60 V
... potenza. La facilità di interfacciamento con l'unità di microcontrollo (MCU), la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe rendono i MOSFET OptiMOS™ a canale P di Infineon adatti ad applicazioni esigenti di alta qualità. ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -3,2 A
Tensione: -60 V
... alla resistenza alle valanghe, i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon sono adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Bassa resistenza allo stato conduttivo Testati al 100% contro l’effetto valanga ...
Infineon Technologies AG
Corrente: -22 A
Tensione: -60 V
... applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, ...
Infineon Technologies AG
Tensione: 50, 100 V
... Il FMMT413 è un transistor bipolare planare bipolare in silicio NPN ottimizzato per il funzionamento in modalità valanga. Lo stretto controllo di processo e il confezionamento a bassa induttanza si combinano per produrre ...
Corrente: 3,2 A
Tensione: 650 V
... Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS (es. 7a), REACH, Conflict Minerals l) ...
Diotec
Corrente: 2,3, 3,2 mA
Tensione: 650 V
... Tecnologia di trincea avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS (es. 7a), REACH, Conflict Minerals l) ...
Diotec
Corrente: 50, 20 A
Tensione: 60 V
... Tecnologia di scavo avanzata Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica del gate Classificato per valanghe Conforme a RoHS, REACH, Conflict Minerals *) ...
Diotec
Corrente: 5 A - 150 A
Tensione: 1.200, 650 V
... livello di rumore ridotto a Gâte Bassa resistenza di stato Tempi di commutazione rapidi Bassa carica di gâte Classificato per valanghe Conforme alla direttiva RoHS (es. 7a), REACH, Conflitto Minerario l) Dati meccanici 1) Nastro e bobina ...
Diotec
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