Transistor MOSFET BSP170I

di potenzadi commutazionea valanga

I MOSFET di potenza a canale P OptiMOS™ sono ideali per applicazioni quali interruttori di carico, gestione delle batterie e protezione dall’inversione di polarità. Il vantaggio principale dei MOSFET di potenza a canale P OptiMOS™ è la semplificazione della complessità progettuale nelle applicazioni a media e bassa potenza. Grazie alla facile interfaccia con l’unità a microcontrollore (MCU), alla commutazione rapida e alla resistenza alle valanghe, i MOSFET di potenza OptiMOS™ di Infineon sono adatti ad applicazioni che richiedono un’elevata qualità. Caratteristiche Bassa resistenza allo stato conduttivo Testati al 100% contro l’effetto valanga Livello logico Placcatura dei terminali senza piombo; conforme alla direttiva RoHS Certificati per applicazioni industriali Vantaggi Facile interfaccia con l’MCU Maggiore efficienza a bassi carichi Commutazione rapida Resistenza all’effetto valanga Qualità e affidabilità ai vertici della categoria