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Transistor MOSFET BSZ063N04LS6
di potenzadi commutazionea resistenza

Transistor MOSFET - BSZ063N04LS6 - Infineon Technologies AG - di potenza / di commutazione / a resistenza
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Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
a resistenza
Corrente

40 A

Tensione

40 V

Descrizione

Breve descrizione
Il BSZ063N04LS6 è un MOSFET di potenza a canale N OptiMOS 6, 40 V, progettato per SMPS, caricabatterie e applicazioni di ORing. Offre una riduzione del RDS(on) di circa il 30% rispetto alla generazione precedente ed è conforme a RoHS.

Caratteristiche principali
  • Tensione nominale: 40 V
  • Tecnologia: OptiMOS 6
  • Tipo di dispositivo: MOSFET di potenza canale N
  • Riduzione di RDS(on): ≈30% vs generazione precedente
  • Conformità: RoHS

Identificatori e ordinazione
  • Numero pezzo Infineon (ISPN): BSZ063N04LS6
  • OPN (numero ordinabile): BSZ063N04LS6ATMA1
  • Numero SP: SP001687058
  • ispnId: 22636

Stato prodotto e famiglia
  • Stato prodotto: attivo e preferito
  • Famiglia prodotto: N-Channel (MOSFET di potenza)

Applicazioni
  • Conversione di potenza (SMPS)
  • Caricabatterie
  • ORing / protezione del percorso di alimentazione per alimentatori ridondanti o gestione batteria

Specifiche tecniche
  • Tensione massima drain‑source: 40 V
  • Tecnologia: OptiMOS 6
  • Miglioramento RDS(on): riduzione di circa il 30% rispetto alla generazione precedente
  • RoHS: conforme
  • Identificatori rilevanti: ispnId = 22636, spNumber = SP001687058, opnName = BSZ063N04LS6ATMA1

Cataloghi

BSZ063N04LS6
BSZ063N04LS6
11 Pagine

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.