Transistor MOSFET ISC151N20NM6

di potenzadi commutazioneaudio

L'ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V sta definendo un nuovo standard tecnologico. Risponde alle esigenze di elevata densità di potenza, alta efficienza e massima affidabilità. La tecnologia OptiMOS™ 6 200 V è stata progettata per garantire prestazioni ottimali nelle applicazioni di azionamento dei motori, quali veicoli a bassa velocità (LEV), carrelli elevatori e droni. Grazie all’RDS(on) leader del settore, al comportamento di commutazione migliorato e alla migliore ripartizione della corrente, il nuovo OptiMOS™ 6 consente una maggiore densità di potenza, un minor numero di collegamenti in parallelo e un miglior comportamento EMI. Il comportamento di commutazione migliorato lo rende inoltre una scelta ideale per qualsiasi tipo di applicazione di commutazione, come telecomunicazioni, server, energia solare o audio. Inoltre, la combinazione di un’ampia SOA e di un RDS(on) leader del settore lo rende perfetto per applicazioni di commutazione statica come i BMS. Caratteristiche RDS(on) inferiore del 42 % Eccellenti prestazioni in termini di EMI e commutazione grazie a: QRR (tipico) inferiore del 45% QOSS (tipico) inferiore del 42% Diodo più morbido di oltre 3 volte Migliore linearità della capacità VGS(th) ristretto e bassa transconduttanza per facilitare il collegamento in parallelo SOA migliorata per una maggiore robustezza Vantaggi Basse perdite di conduzione Basse perdite di commutazione Funzionamento stabile con migliori prestazioni EMI Minore necessità di collegamento in parallelo Migliore ripartizione della corrente in caso di collegamento in parallelo Conforme alla direttiva RoHS, senza piombo Classificato MSL 1 secondo lo standard J-STD-020