Transistor MOSFET BSC027N10NS5

di potenza

Descrizione I MOSFET OptiMOS™ BiC di Infineon nel pacchetto SuperSO8 ampliano il portafoglio prodotti OptiMOS™ 3 e 5 e consentono una maggiore densità di potenza, oltre a una maggiore robustezza, rispondendo all'esigenza di costi di sistema più bassi e prestazioni più elevate. La bassa carica di recupero inverso (Qrr) migliora l'affidabilità del sistema fornendo una significativa riduzione del superamento della tensione, che riduce al minimo la necessità di circuiti di snubber, con conseguente riduzione dei costi e degli sforzi di progettazione. Caratteristiche principali Il più basso RDS(on) consente la massima densità di potenza ed efficienza Temperatura di esercizio più elevata fino a 175°C per una maggiore affidabilità Bassa RthJC per un eccellente comportamento termico Carica di recupero inverso inferiore (Qrr) Vantaggi chiave Temperatura a pieno carico più bassa Meno parallelismo Superamento ridotto Aumento della densità di potenza del sistema Dimensioni ridotte Riduzione dei costi di sistema Costi di ingegneria e riduzione degli sforzi Applicazioni target Server Telecomunicazioni Utensili elettrici Azionamenti a bassa tensione Applicazioni audio in classe D