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Transistor MOSFET IPD900P06NM
di potenzadi commutazionea valanga

Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - di potenza / di commutazione / a valanga
Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - di potenza / di commutazione / a valanga
Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - di potenza / di commutazione / a valanga - immagine - 2
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Caratteristiche

Tipo
MOSFET
Tecnologia
di potenza, di commutazione
Altre caratteristiche
a valanga, per l'industria automobilistica
Corrente

-16,4 A

Tensione

-60 V

Descrizione

Panoramica
  • IPD900P06NM è un MOSFET di potenza canale P progettato per applicazioni di commutazione e gestione dell'alimentazione.
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Polarità: P (canale P)
  • Package tipico: DPAK (TO-252)


Parametri elettrici principali
  • Tensione massima drain-source (VDS max): -60 V
  • Resistenza di conduzione massima (RDS(on) max): 90 mΩ


Identificatori e classificazione del prodotto
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Codice produttore (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
  • Numero d'ordine (OPN): IPD900P06NMATMA1
  • ID ISPN: 23206
  • SP Number: SP004987258
  • Famiglia: P-Channel
  • Stato del prodotto: active


Informazioni sul package tipico
  • Package: DPAK (TO-252)


Applicazioni e posizionamento
  • Adatto per commutazione canale P, commutazione di carichi e gestione dell'alimentazione a livello scheda quando è richiesto un MOSFET canale P in DPAK.


Caratteristiche tecniche / specifiche
  • Tipo di dispositivo: MOSFET di potenza canale P
  • VDS (max): -60 V
  • RDS(on) (max): 90 mΩ
  • Package: DPAK (TO-252)
  • Tecnologia: OptiMOS™
  • Polarità: P

Cataloghi

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Pagine

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.