Transistor MOSFET IPD900P06NM

di potenzadi commutazionea valanga

MOSFET a canale P a livello normale e logico, che riducono la complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza I MOSFET OptiMOS™ a canale P da 60 V in contenitore DPAK rappresentano la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di gestione delle batterie, di commutazione dei carichi e di protezione dall'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La facilità di interfacciamento con l'MCU, la rapidità di commutazione e la resistenza alle valanghe lo rendono adatto ad applicazioni esigenti di alta qualità. È disponibile a livello normale e logico, con un'ampia gamma di RDS(on) e migliora l'efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg. Riassunto delle caratteristiche: Ampio intervallo RDS(on) Disponibilità a livello normale e logico Vantaggi: Facile interfaccia con l'MCU Maggiore efficienza a bassi carichi grazie al basso Qg Commutazione rapida Robustezza da valanga Applicazioni potenziali Batterie Consumatori Automazione industriale Azionamenti industriali