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Tensione: 60 V
... Transistor NPN al silicio epitassiale Applicazioni Questo prodotto è di uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse. ...
Onsemi
Corrente: 15 A
Tensione: 60 V - 120 V
... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni audio, motori passo-passo e altre applicazioni lineari ad alta potenza. Può essere utilizzato anche nei circuiti di commutazione di potenza, come i driver ...
Onsemi
Corrente: 15 A
Tensione: 60 V - 120 V
... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni audio, motori passo-passo e altre applicazioni lineari ad alta potenza. Può essere utilizzato anche nei circuiti di commutazione di potenza, come i driver ...
Onsemi
Corrente: 10 A
Tensione: 100 V
... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori generici, in cui la superficie di montaggio del dispositivo deve essere isolata elettricamente dal dissipatore di calore ...
Onsemi
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ...
Onsemi
Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V
... SNXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ...
Onsemi
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 8 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...
STMicroelectronics
Corrente: 30 A
Tensione: 600 V
... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Bassa caduta di tensione ...
STMicroelectronics
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO (V): 50 VCE ...
Tensione: 20, 50 V
... MOSFET a canale N e transistor NPN in un unico pacchetto Bassa resistenza al fuoco Tensione di soglia di gate molto bassa, 1,0 V max Bassa capacità di ingresso Velocità di commutazione veloce Basse perdite di ingresso/uscita ...
Diodes Incorporated
Tensione: 11 V
... 3.Guadagno unitario a 2GHz per applicazioni di commutazione RF - Totalmente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS (note 1 e 2) - Senza alogeni e antimonio. Dispositivo "verde" (Nota 3) - Qualificato secondo gli standard ...
Diodes Incorporated
Tensione: 50, 60, 7 V
... Il CMKT3920 di Central Semiconductor (due transistor NPN singoli) è una combinazione duale in un contenitore SOT-363 ULTRAmini™ di minimo ingombro, progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori generici ...
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