- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Transistor IGBT RGW40N120T1Bdi potenza
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di potenza
- Corrente
40 A
- Tensione
1.200 mV
Descrizione
CARATTERISTICHE
-Alta tensione di guasto fino a 1200V per una maggiore affidabilità
-Offerta della tecnologiarench-stop :
>distribuzione dei parametri molto stretta
>Elevata robustezza, comportamento stabile alla temperatura
>Tempo di resistenza al corto circuito - 1 Ops
>Elevata robustezza, stabile alla temperatura
>Basso VCe(SAT)
>Facilità di commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in
VcE(SAT)
-Capacità valanghe potenziata
CANDIDATURA
- Convertitori di frequenza
- Azionamento del motore
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Cataloghi
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