Transistor IGBT XPT™ series

di potenza

Gli interruttori a stato solido più performanti presentano bassa resistenza termica, bassa corrente di coda, basse perdite di energia e capacità di commutazione ad alta velocità. Gli IGBT eXtreme light punch through (XPT) di Littelfuse soddisfano tutti questi requisiti. Configurati come IGBT planari o a trench, questi transistor bipolari ad alta tensione con gate isolato possono essere utilizzati in parallelo. Ciò consente di ridurre i costi e semplifica la progettazione dei circuiti di pilotaggio del gate. L’installazione di diodi a recupero rapido con i nostri IGBT XPT garantisce una commutazione più fluida e riduce significativamente le interferenze elettromagnetiche. Caratteristiche Disponibili con tensioni nominali continue (VCES) da 600 V a 4,5 kV Disponibili con correnti nominali tipiche da 9 A a 94 A Tensioni di saturazione generalmente inferiori a 4 V Bassa resistenza corpo-giunzione (ad es. 92 mK/W, 4,4 K/W) Vantaggi Il coefficiente di temperatura positivo della tensione allo stato attivo facilita il collegamento in parallelo Bassi requisiti di corrente di gate Disponibili in contenitori con diodi a recupero rapido Contenitori conformi agli standard internazionali