Transistor IGBT XPT™ series

di potenza

Progettati utilizzando la tecnologia proprietaria thin-wafer XPT™ e un processo IGBT all'avanguardia, questi dispositivi presentano qualità quali una ridotta resistenza termica, una bassa corrente di coda, una bassa perdita di energia e una capacità di commutazione ad alta velocità. Grazie al coefficiente di temperatura positivo della loro tensione di on-state, questi IGBT ad alta tensione possono essere utilizzati in parallelo, offrendo così soluzioni economicamente vantaggiose rispetto ai dispositivi a bassa tensione collegati in serie. Ciò si traduce in una riduzione del circuito di pilotaggio del gate associato, in una semplicità di progettazione e in un miglioramento dell'affidabilità del sistema complessivo. I diodi di recupero rapido co-packed opzionali hanno un basso tempo di recupero inverso e sono ottimizzati per produrre forme d'onda di commutazione uniformi e ridurre significativamente le interferenze elettromagnetiche (EMI). Caratteristiche: Tecnologia XPT™ a wafer sottile Basse tensioni di stato VCE(sat) Diodi a recupero rapido co-imballati Coefficiente di temperatura positivo di VCE(sat) Pacchetti ad alta tensione di dimensioni standard internazionali Applicazioni: Circuiti pulser Generatori di laser e raggi X Alimentatori ad alta tensione Apparecchiature di prova ad alta tensione Circuiti di scarica di condensatori Interruttori CA