Questa serie di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) presenta una corrente di recupero inversa trascurabile, un'elevata capacità di sovracorrente e una temperatura di giunzione massima di 175 °C. Questa serie di diodi è ideale per le applicazioni in cui si desidera migliorare l'efficienza, l'affidabilità e la gestione termica.
Caratteristiche:
- Qualificati AEC-Q101
- Coefficiente di temperatura positivo per un funzionamento sicuro e una maggiore facilità di collegamento in parallelo
- Temperatura di giunzione operativa massima di 175 °C
- Eccellente capacità di sovratensione
- Comportamento di commutazione estremamente rapido e indipendente dalla temperatura
- Perdite di commutazione drasticamente ridotte rispetto ai diodi bipolari Si
Applicazioni:
- Diodi di boost in stadi PFC o DC/DC
- Alimentatori switching
- Gruppi di continuità
- Inverter solari
- Azionamenti per motori industriali
- Stazioni di ricarica per veicoli elettrici
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