Questa serie di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) presenta una corrente di recupero inversa trascurabile, un'elevata capacità di sovracorrente e una temperatura di giunzione massima di 175 °C. Questa serie di diodi è ideale per le applicazioni in cui si desidera migliorare l'efficienza, l'affidabilità e la gestione termica.
Qualificati AEC-Q101
Coefficiente di temperatura positivo per garantire la sicurezza di funzionamento e la facilità di collegamento in parallelo
temperatura di giunzione massima di 175 °C
Eccellente capacità di sovratensione
Comportamento di commutazione estremamente rapido e indipendente dalla temperatura
Perdite di commutazione drasticamente ridotte rispetto ai diodi bipolari Si
Applicazioni:
Diodi di boost in stadi PFC o DC/DC
Alimentatori switching
Gruppi di continuità
Inverter solari
Azionamenti per motori industriali
Stazioni di ricarica per veicoli elettrici
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