Transistor transistor bipolare a gate isolato BID series di commutazione
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Caratteristiche
- Tipo
- transistor bipolare a gate isolato
- Tecnologia
- di commutazione
- Corrente
5 A, 20 A, 30 A, 50 A
- Tensione
600 V
Descrizione
La serie IGBT discreta BID di Bourns® combina la tecnologia di un gate MOS e di un transistor bipolare, creando il componente giusto per le applicazioni ad alta tensione e ad alta corrente. Questo dispositivo utilizza l'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop, che consente un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche e una minore tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)) e minori perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura aumenta la robustezza del dispositivo e garantisce un RTH inferiore. La soluzione IGBT Bourns® è adatta per applicazioni SMPS, UPS e PFC.
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Cataloghi
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