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Transistor IGBT RGW00TS65CHRdi commutazionein silicioper l'industria automobilistica
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Caratteristiche
- Tipo
- IGBT
- Tecnologia
- di commutazione
- Altre caratteristiche
- in silicio, per l'industria automobilistica
- Corrente
50 A
- Tensione
650 V
Descrizione
La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato con fiducia anche in ambienti difficili, come i caricabatterie di bordo degli xEV, i convertitori DC/DC, i condizionatori di energia solare e gli UPS.
Qualificato AEC-Q101
Bassa tensione di saturazione del collettore e dell'emettitore
Bassa perdita di commutazione e commutazione morbida
SBD al carburo di silicio senza recupero incorporato
Placcatura al piombo senza Pb; conforme a RoHS
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Cataloghi
RGW00TS65CHR
15 Pagine
Power Device Catalog
36 Pagine
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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.