Transistor IGBT RGW00TS65CHR
di commutazionein silicioper l'industria automobilistica

Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - di commutazione / in silicio / per l'industria automobilistica
Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - di commutazione / in silicio / per l'industria automobilistica
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione
Altre caratteristiche
in silicio, per l'industria automobilistica
Corrente

50 A

Tensione

650 V

Descrizione

La serie RGWxx65C è un IGBT da 650 V con un diodo di barriera schottky SiC incorporato, che riduce la perdita di commutazione all'accensione. Si tratta di un prodotto conforme alla normativa AEC-Q101. Può essere utilizzato con fiducia anche in ambienti difficili, come i caricabatterie di bordo degli xEV, i convertitori DC/DC, i condizionatori di energia solare e gli UPS. Qualificato AEC-Q101 Bassa tensione di saturazione del collettore e dell'emettitore Bassa perdita di commutazione e commutazione morbida SBD al carburo di silicio senza recupero incorporato Placcatura al piombo senza Pb; conforme a RoHS

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.