Transistori bipolari STMicroelectronics

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transistor NPN
transistor NPN
HD1750FX

Corrente: 24 A
Tensione: 1.700 V

... Il dispositivo utilizza un collettore diffuso in tecnologia planare che adotta la "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1) sviluppata per i display CRT ad alta definizione. La nuova serie di prodotti HD presenta un'efficienza del silicio ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KDT4

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...

Altri prodotti
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transistor IGBT
transistor IGBT
STGD8NC60KD

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGF8NC60KD

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGP8NC60KD

Corrente: 8 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH™ che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Caduta di tensione inferiore ...

Altri prodotti
STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGW30NC60KD

Corrente: 30 A
Tensione: 600 V

... Questo IGBT utilizza l'avanzato processo PowerMESH che consente di ottenere un eccellente compromesso tra prestazioni di commutazione e basso comportamento on-state. Tutte le caratteristiche Bassa caduta di tensione ...

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