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... Gli HEMT GaN, i FET GaAs, i MMIC e le soluzioni HEMT a basso rumore offrono prestazioni elevate e affidabilità senza compromessi per applicazioni radar, stazioni base, SATCOM, point to point e spaziali. ...
Corrente: 50 mA
Tensione: 30 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica realizzati in un contenitore SOT-23, progettati per applicazioni di amplificazione a basso livello. CODICI DI MARCATURA: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: ...
... Caratteristiche Bassissimo rumore PHEMT. Il processo è ottimizzato per fornire una figura di rumore molto bassa per le stazioni base cellulari/PCS critiche e altre applicazioni RF senza fili, elevata coerenza da parte a parte ed eccellente affidabilità. ...
Broadcom
... ATF-35143 è un PHEMT ad alta gamma dinamica, a basso rumore, alloggiato in un pacchetto di plastica per montaggio superficiale SC-70 a 4 conduttori. ...
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... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione ...
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