Transistori FET

... Caratteristiche Bassissimo rumore PHEMT. Il processo è ottimizzato per fornire una figura di rumore molto bassa per le stazioni base cellulari/PCS critiche e altre applicazioni RF senza fili, elevata coerenza da parte a parte ed eccellente ...

... ATF-35143 è un PHEMT ad alta gamma dinamica, a basso rumore, alloggiato in un pacchetto di plastica per montaggio superficiale SC-70 a 4 conduttori. ...

... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica prodotto in un contenitore SOT-23, progettato per applicazioni con amplificatori di basso livello. CODICI DI MARCATURA CMPFJ175: ...

Tensione: 30 V

... DESCRIZIONE: I SEMICONDUTTORI CENTRALI CMPFJ175 e CMPFJ176 sono JFET a canale P stampati in resina epossidica prodotto in un contenitore SOT-23, progettato per applicazioni con amplificatori di basso livello. CODICI DI MARCATURA CMPFJ175: ...

... Gli HEMT GaN, i FET GaAs, i MMIC e le soluzioni HEMT a basso rumore offrono prestazioni elevate e affidabilità senza compromessi per applicazioni radar, stazioni base, SATCOM, point to point e spaziali. ...

... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente ...