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... Caratteristiche Bassissimo rumore PHEMT. Il processo è ottimizzato per fornire una figura di rumore molto bassa per le stazioni base cellulari/PCS critiche e altre applicazioni RF senza fili, elevata coerenza da parte a parte ed eccellente ...
Broadcom
... ATF-35143 è un PHEMT ad alta gamma dinamica, a basso rumore, alloggiato in un pacchetto di plastica per montaggio superficiale SC-70 a 4 conduttori. ...
Broadcom
Corrente: 4 A
Tensione: 650 V
... La serie R6xxxENx è costituita da prodotti a basso rumore, MOSFET a supergiunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore, come le apparecchiature ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 1,7 A
Tensione: 600 V
... La serie R6xxxENx è costituita da prodotti a basso rumore, MOSFET a supergiunzione, che pongono l'accento sulla facilità d'uso. Questa serie di prodotti offre prestazioni superiori per le applicazioni sensibili al rumore, come le apparecchiature ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 76 A
Tensione: 600 V
... R6076ENZ4 è un MOSFET di potenza per applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Rapida velocità di commutazione Facile utilizzo in parallelo Placcatura senza Pb; conforme a RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 4 A
Tensione: 600 V
... Il MOSFET di potenza R6004END3 è adatto per l'alimentazione a commutazione. Bassa resistenza di accensione Basso rumore di radiazione Commutazione rapida Facile utilizzo in parallelo Placcatura senza Pb; conforme a RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 11 A
Tensione: 650 V
... R6511ENX è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e commutazione rapida, adatto alle applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Velocità di commutazione rapida Facile utilizzo in parallelo Placcatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 11 A
Tensione: 650 V
... R6511ENJ è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e commutazione rapida, adatto alle applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Velocità di commutazione rapida Facile utilizzo in parallelo Placcatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensione: 650 V
... R6524ENJ è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e commutazione rapida, adatto alle applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Velocità di commutazione rapida Facile utilizzo in parallelo Placcatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 30 A
Tensione: 650 V
... R6530ENX è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione e rapida velocità di commutazione, adatto per la commutazione. Bassa resistenza di accensione Rapida velocità di commutazione Facile utilizzo in parallelo Placcatura ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 4 A
Tensione: 600 V
... I MOSFET di potenza sono dispositivi a bassa resistenza di accensione realizzati con tecnologie di microelaborazione utili per un'ampia gamma di applicazioni. Un'ampia gamma che comprende tipi compatti, tipi ad alta potenza e tipi complessi ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 30 A
Tensione: 600 V
... I MOSFET di potenza sono dispositivi a bassa resistenza di accensione realizzati con tecnologie di microelaborazione utili per un'ampia gamma di applicazioni. Un'ampia gamma che comprende tipi compatti, tipi ad alta potenza e tipi complessi ...
ROHM Semiconductor
Tensione: 50 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 sono transistor PNP al silicio prodotto con il processo epitassiale planare, epossidico modellato in un pacchetto di montaggio superficiale, progettato ...
... Gli HEMT GaN, i FET GaAs, i MMIC e le soluzioni HEMT a basso rumore offrono prestazioni elevate e affidabilità senza compromessi per applicazioni radar, stazioni base, SATCOM, point to point e spaziali. ...
... portafoglio di transistor RF bipolari al silicio e FET GaAs I transistor RF GaAs FET RF sono ideali per il primo o secondo stadio della stazione base LNA grazie all'eccellente combinazione di bassa figura ...
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