La richiesta di accesso a contenuti ricchi in qualsiasi parte del mondo sta guidando la crescita della trasmissione di informazioni senza fili. Ciò aumenta la necessità di dispositivi di potenza RF nei sistemi wireless e di nuove tecnologie come GaN e SiC. Ciò richiede a sua volta la caratterizzazione di queste nuove tecnologie a livello di wafer, riducendo in modo significativo il tempo necessario per sviluppare nuovi modelli. Questi modelli vengono utilizzati per la progettazione di nuovi dispositivi, che vengono poi implementati nei sistemi di trasmissione wireless (stazioni base, satelliti, ecc.) per soddisfare le esigenze dei consumatori affamati di contenuti.
Per fornire una caratterizzazione altamente accurata dei dispositivi di potenza RF a livello di wafer, lo strumento Probe® Power, basato sulla collaudata tecnologia Probe, gestisce potenze elevate a frequenze elevate (fino a 40 GHz). La |Z| Probe Power offre un'eccellente ripetibilità dei contatti e una resistenza di contatto estremamente bassa per fornire risultati accurati nelle configurazioni di misura load-pull, tipiche per la caratterizzazione dei dispositivi di potenza RF.
Poiché la perdita di inserzione deve essere mantenuta bassa nelle misure load-pull e noise-parameter per garantire un elevato coefficiente di riflessione (Γ), la sonda |Z| Power è stata progettata per fornire una perdita di inserzione estremamente bassa. Ciò significa che si ottengono misure più accurate, soprattutto su impedenze diverse da 50 Ω.
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