Caratteristiche macchina- Impulso femtosecondo
- Elevata energia per impulso e potenza di picco
- Qualità del fascio prossima al limite di diffrazione
- Elevata stabilità e affidabilità
ApplicazioniQuesto laser adotta la tecnologia avanzata di amplificazione dei impulsi chirpati (CPA) per fornire emissione femtosecondo prossima al limite di diffrazione. Viene ampiamente impiegato nei settori dei semiconduttori e dell'elettronica di consumo per microlavorazioni precise e prestazioni di processo costanti.
- Taglio, foratura e scribatura (vetro, silicio, ceramica, circuiti stampati flessibili)
- Patterning di film sottili (metalli, film sottili)
- Marcatura (vetro, silicio, ceramica, metalli, plastiche)
Scheda tecnicaModalità di funzionamento: Pulse
Potenza media (W): 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
Lunghezza d'onda centrale (nm): 1030
Linewidth (nm): <3 (3 dB)
Frequenza di ripetizione (kHz): 50-2000 (regolabile)
Durata dell'impulso (fs): 600-30000 (personalizzabile)
Energia massima per singolo impulso (µJ): 200
Intervallo di regolazione potenza (%): 0-100
Tempo di risposta (µs): <100
Qualità del fascio (M2): ≤1.3
Stabilità della potenza (%): ≤2 (24 h)
Dimensione del spot (mm): 2.5±0.3 (1/e2)
Ellitticità del spot (%): >90 (tip. 93%)
Offset del fascio (mm): <1.0
Angolo di divergenza del fascio (mrad): <0.5
Caratteristiche / specifiche tecniche- Modalità di funzionamento: Pulse
- Potenza media: 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
- Lunghezza d'onda centrale: 1030 nm
- Linewidth: <3 nm (3 dB)
- Frequenza di ripetizione: 50-2000 kHz (regolabile)
- Durata dell'impulso: 600-30000 fs (personalizzabile)
- Energia massima per singolo impulso: 200 µJ
- Intervallo di regolazione potenza: 0-100%
- Tempo di risposta: <100 µs
- Qualità del fascio (M2): ≤1.3
- Stabilità della potenza: ≤2% (24 h)
- Dimensione del spot: 2.5±0.3 mm (1/e2)
- Ellitticità del spot: >90% (tip. 93%)
- Offset del fascio: <1.0 mm
- Angolo di divergenza del fascio: <0.5 mrad