PanoramicaI sistemi di ion milling Hitachi IM4000II e IM5000 offrono preparazione di campioni di precisione per microscopia elettronica a scansione (SEM) e tecniche correlate di analisi superficiale. Adatti a metalli, semiconduttori, polimeri, ceramiche e materiali multistrato, producono sezioni trasversali e superfici piane con artefatti ridotti. Progettati per laboratori di ricerca, controllo qualità industriale e materiali, entrambi i modelli garantiscono risultati ripetibili e un flusso di lavoro ad elevata produttività per applicazioni SEM avanzate.
Caratteristiche principali- Alta velocità di asportazione: rimozione rapida del materiale per substrati duri.
- Modalità fresatura sezione e piana: processi flessibili per diversi tipi di campione.
- Raffreddamento criogenico (opzionale): tutela dei materiali sensibili alla temperatura.
- Interfaccia intuitiva: controllo touch-screen e cicli programmabili.
- Compatibilità SEM/AFM: integrazione con microscopi Hitachi e di terze parti; Air protection Holder Unit disponibile.
Funzionalità e vantaggi- Produttività: IM4000II ≈ 500 μm/h (Si, sporgenza 100 μm); IM5000 ≥ 1 mm/h (stesse condizioni) per ridurre i tempi di preparazione.
- Versatilità: la fresatura di sezione genera interfacce lisce senza distorsioni; la fresatura piana rimuove artefatti superficiali utile per EBSD.
- Fresatura su ampia area (IM5000): possibilità di fresare uniformemente fino a 10 mm di larghezza per componenti elettronici e campioni industriali di grandi dimensioni.
- Opzione criogenica: controllo temperatura (0°C a −100°C via LN2) per preservare polimeri, campioni biologici e materiali sensibili al calore.
- Controllo del fascio: irradiazione intermittente programmabile (cicli ON/OFF) e tensione di accelerazione regolabile per materiali sensibili al fascio.
- Integrazione del flusso di lavoro: compatibilità con SEM Hitachi e sistemi di terze parti; maschere e supporti opzionali per trasferimenti in atmosfera inerte e maggiore tolleranza al fascio.
Applicazioni- Metalli e leghe — analisi microstrutturale e sezioni trasversali.
- Batterie — sezioni trasversali di elettrodi e componenti stratificati.
- Elettronica e semiconduttori — esposizione di strati e interfacce in IC e dispositivi.
- Polimeri e materiali molli — preparazione criogenica per evitare deformazioni.
- Film multistrato e rivestimenti — studi di composizione e adesione.
- Materiali duri industriali — preparazione campioni per SEM e analisi superficiale.
Specifiche (sintesi)Gas utilizzato : Ar (argon)
Tensione di accelerazione : IM4000II 0–6 kV | IM5000 0–8 kV
Velocità massima di fresatura (Si, sporgenza 100 μm) : IM4000II ≈ 500 μm/h | IM5000 ≥ 1 mm/h
Larghezza massima di fresatura : IM4000II non disponibile | IM5000 fino a 10 mm
Dimensione massima del campione : 20 mm (L) × 12 mm (P) × 8 mm (H)
Corsa campione : X ±7 mm, Y 0 a +3 mm
Irradiazione intermittente del fascio ionico : ON/OFF programmabile (1 s a 59 min 59 s)
Angolo di oscillazione : ±15°, ±30°, ±40°
Area di fresatura piana : φ 32 mm; dimensione massima fresata φ 50 × 25 mm (H)
Velocità di rotazione : 1 rpm, 25 rpm
Intervallo di inclinazione : 0° a 90°
Controllo temperatura (opzionale) : 0°C a −100°C via LN2
Specifiche tecniche- Gas: Argon (Ar).
- Tensione di accelerazione: IM4000II 0–6 kV; IM5000 0–8 kV.
- Velocità di fresatura: IM4000II ≈ 500 μm/h; IM5000 ≥ 1 mm/h (Si, sporgenza 100 μm).
- Fresatura su ampia area: IM5000 fino a 10 mm; IM4000II non disponibile.
- Dimensioni massime del campione e aree di fresatura piana come sopra indicate.
- Irradiazione intermittente programmabile e parametri di fascio regolabili per materiali sensibili.
- Moduli opzionali: controllo temperatura, maschere ad alta tolleranza al fascio, unità microscopio stereo (15×–100×), Air protection Holder Unit e accessori di montaggio.