la capacità di osservazione 3D contribuisce a "ridurre il ciclo di sviluppo" e a "migliorare la qualità del prodotto" dei dispositivi G&C*
Una volta trasportato automaticamente un wafer di dimensioni fino a 200 mm, il CT1000 si sposta con precisione nella posizione critica del modello o nella posizione del difetto rilevata dall'unità di ispezione dei difetti. L'osservazione tridimensionale al SEM può quindi essere eseguita utilizzando uno stadio campione inclinabile. Il CT1000 dispone anche di uno spettrometro a raggi X a dispersione di energia (EDS) *2 che può essere utilizzato per dedurre gli elementi contenuti nel campione da osservare.
- Stadio del campione a 5 assi che consente l'osservazione 3D della forma dei difetti e dei modelli
- Integrazione dell'EDS* che consente di identificare l'elemento del difetto (EDS: sistema di analisi a raggi X a dispersione di energia)
- Supporto di wafer da φ100 mm, φ150 mm, φ200 mm
Risoluzione - 7 nm@1 kV
Angolo massimo di inclinazione del campione - 55°
Dimensione del campo di osservazione - 0,675~135 µm
Analisi elementare (opzione) - Spettrometro a raggi X a dispersione di energia
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