Regolatore di portata massico GR-511F

per gas

Il GR-511F può controllare i gas utilizzati per raffreddare il lato posteriore dei wafer fissati in posizione da un sistema di mandrini elettrostatici. La stabilità e la precisione del GR-511F lo rendono ideale per controllare il flusso di elio e argon nei sistemi di raffreddamento dei wafer. CARATTERISTICHE Controllo della pressione con maggiore stabilità e precisione Sensore di portata massica (opzionale) Compatibile con vari raccordi Conformità alla direttiva RoHS Esempio di applicazione Nell'esempio seguente, il GR-511F controlla i gas utilizzati per raffreddare il lato posteriore dei wafer fissati in posizione da un sistema di mandrini elettrostatici. tipo di valvola - C: normalmente chiusa Integrità delle perdite - ≤ 7 × 10-11 Pa-m3 /s (He) Pressione massima di esercizio - 300 kPa (A) Resistenza alla pressione - 350 kPa (A) Temperatura di funzionamento - 5-50 °C (Precisione garantita: 15-40 °C) Alimentazione - +15 Vc.c. ±5 %, 250 mA -15 Vc.c. ±5 %, 250 mA Consumo di energia - 7,5 VA Interfaccia - Analogica Gas *1 - He, Ar, N2 Raccordi standard - VCR da 1/4 di pollice o equivalente Fondo scala della pressione - 1,333 kPa (A) (10 Torr), 2,666 kPa (A) (20 Torr), 6.666 kPa (A) (50 Torr) Campo di controllo della pressione - 1-100 %F.S. Precisione della pressione *2 - ±0,5 %R.S. Coefficiente di temperatura di zero - ±0,04 %F.S./°C Coefficiente di temperatura di span - ±0,04 %R.S./°C Risposta *3 - ≤ 1 sec Segnale di impostazione della pressione - 0,1-10 VDC (1-100 %F.S.) Impedenza di ingresso ≥ 1 MΩ Opzione: 0,05-5 VDC (1-100 %F.S.) Impedenza di ingresso ≥ 1 MΩ Segnale di uscita della pressione - 0-10 VDC (0-100 %F.S.) Resistenza minima 2 kΩ Opzione: 0-5 VDC (0-100 %F.S.) Resistenza minima 2 kΩ