La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è un processo che sfrutta l'energia del plasma per accelerare le reazioni chimiche sulla superficie del wafer e produrre film sottili a temperature inferiori a 400°C. Il bombardamento energetico di ioni durante la deposizione può essere utilizzato per personalizzare le proprietà elettriche e meccaniche dei film. I sistemi SPTS Delta™ PECVD sono utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni nei mercati dell'imballaggio avanzato, della radiofrequenza, dell'energia, della fotonica e dei MEMS, in particolare nelle applicazioni in cui è richiesta una bassa temperatura di lavorazione. Il sistema Delta™ fxP cluster offre una libreria completa di processi per un'ampia gamma di film dielettrici e con temperature di deposizione comprese tra 80°C e 400°C. Il sistema offre anche opzioni di camera di preriscaldamento a singolo e multi-wafer per il de-gassamento di substrati sensibili e la capacità di lavorazione del contatto con il bordo per la deposizione del lato posteriore del wafer.
- SiCN per l'incollaggio ibrido e SiO spesso per il gapfill inter-die
- Rivestimenti di TSV e passivazione di via-reveal
- Passivazione SiN per chip di potenza con opzione a bassa potenza e basso danno per GaN
- Pellicole posteriori a bassa temperatura con compensazione dell'arco
- SiN altamente uniforme per la passivazione di condensatori MIM e dispositivi GaAs.
- Film a RI e drogati sintonizzati per la fotonica attiva e passiva
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