Sistema di monitoraggio di temperatura Process Probe™ 1530/1535

di misurain tempo reale

Sistema di monitoraggio della temperatura dei wafer in situ I wafer strumentati Process Probe™ 1530 e 1535 sono utilizzati per monitorare le temperature in situ di un'ampia gamma di processi, tra cui cold wall, RTP, sputtering, CVD, stripper al plasma e reattori epitassiali. Le sonde di processo 1530 e 1535 forniscono una misurazione diretta e in tempo reale della temperatura del wafer durante ogni fase critica del ciclo di processo. Grazie a questi dati completi sulla temperatura, gli ingegneri di processo possono caratterizzare e mettere a punto le condizioni di processo, migliorando le prestazioni delle apparecchiature, la qualità e la resa dei wafer. Applicazioni Sviluppo del processo, Qualificazione del processo, Qualificazione dello strumento di processo, Corrispondenza dello strumento di processo Camere di processo per film sottili a parete fredda (1530), Camere di processo per film sottili a parete calda (1535) | 0-1100°C