Gate driver MOSFET DIP8IGBToptoisolato
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Caratteristiche
- Specificazioni
- MOSFET, IGBT, optoisolato
Descrizione
Questi fotoisolatori sono adatti idealmente per potere di azionamento IGBTs ed i MOSFETs utilizzati nelle applicazioni e negli invertitori dell'invertitore del controllo motorio in impianto di alimentazione di potere. Contiene un AlGaAs LED otticamente accoppiato ad un circuito integrato con uno stadio di uscita di potere. La corrente d'uscita di punta 2.5A~3A è capace direttamente di azionamento dei la maggior parte IGBTs con le valutazioni fino a 1200V/100A.
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Cataloghi
Product Catalog
303 Pagine
Full Product
12 Pagine
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.