Microchip potenza LND150

MOSFET

L'LND150 è un transistor ad alta tensione a canale N in modalità depletion (normalmente acceso) che utilizza la tecnologia DMOS laterale. Il gate è protetto da ESD. L'LND150 è ideale per applicazioni ad alta tensione nei settori degli interruttori normalmente attivi, delle sorgenti di corrente costante di precisione, della generazione di rampe di tensione e dell'amplificazione. Caratteristiche del prodotto Esente da guasti secondari Bassa potenza richiesta per l'azionamento Facilità di parallelismo Eccellente stabilità termica Diodo sorgente-drain integrato Alta impedenza di ingresso e basso CISS Protezione del gate ESD Parametrizzazione BVdss min (V) - 500 Rds (on) max (Ohm) - 1000 Vgs(off) Min (V (volt)) - -1,0 Vgs(off) Max (V (volt)) - -3,0 Pacchetto - SOT-23, TO-92, SOT-89