Fototransistor SMD OIT12C-S

in silicio

OIT12C-OIT12C-S array di fototransistor a 9 canali 0,45 mm passo ottico su pacchetto SMD in plastica Descrizione generale OIT12C consiste in un array monolitico di fototransistor al silicio. I fototransistor hanno un collettore comune sul substrato posteriore, che è legato ad un singolo pad e ogni emettitore è accessibile ad un pad specifico. Il passo ottico della matrice è di 0,45 mm, il passo elettrico del pacchetto LCC è di 1,10 mm. L'area attiva di ogni elemento è di 0,25 x 0,50 mm2. I vantaggi di questo prodotto sono l'elevata uniformità dei sensori al silicio, dovuta alla costruzione monolitica e al processo microelettronico estremamente controllato, l'elevata stabilità del segnale e l'elevata responsività ottica, dovuta al rivestimento antiriflesso depositato sulle aree del fototransistor. L'incapsulante è un materiale epossidico trasparente, di elevata durezza ed elevate prestazioni ottiche (trasmittanza prossima al 100% nel range 300-900nm). La versione S ha un altro tipo di incapsulante, meno duro, a base di silicone, per raggiungere un range di temperatura esteso. Le dimensioni sono ridotte al minimo, per ottimizzare il costo e lo spazio dell'encoder. Sono disponibili due tacche di riferimento per il preciso posizionamento del collimatore. Applicazioni Encoder ottici Encoder incrementali Ricevitori ottici Comandi/guide Sensori di luce Caratteristiche Elevata uniformità delle celle in silicio Passo ottico più piccolo, area attiva più ampia Resina ad alta trasparenza Alto guadagno Dimensioni molto piccole Punti di riferimento per un montaggio preciso