Fototransistor in silicio OIT6C
SMD

fototransistor in silicio
fototransistor in silicio
fototransistor in silicio
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
 

Caratteristiche

Altre caratteristiche
in silicio, SMD
Corrente

1 mA

Tensione

80 mV

Descrizione

OIT6C array di fototransistor a 12 canali 0.60mm passo ottico su pacchetto SMD in plastica Descrizione generale OIT6C è costituito da due array monolitici di fototransistor al silicio. I fototransistor hanno un collettore comune sul substrato posteriore, che è legato a due singoli pad e ogni emettitore è accessibile a un pad specifico. Il passo ottico dell'array è di 0,60 mm, il passo elettrico del pacchetto LCC è di 1,27 mm. L'area attiva di ogni elemento è di 0,20 x 0,45 mm2. I vantaggi di questo prodotto sono l'elevata uniformità dei sensori al silicio, dovuta alla costruzione monolitica e al processo microelettronico estremamente controllato, l'elevata stabilità del segnale e l'elevata responsività ottica, dovuta al rivestimento antiriflesso depositato sulle aree del fototransistor. Il metodo di confezionamento è orientato ad applicazioni industriali difficili, il che significa alta gamma di temperature, elevata stabilità nel tempo e altissima uniformità delle celle al silicio. Applicazioni Encoder ottici Encoder incrementali Encoder assoluti a 12 bit Ricevitori ottici Comandi/guide Caratteristiche Elevata uniformità delle celle al silicio Resina ad alta trasparenza Alto guadagno Fori di riferimento per un montaggio preciso 0.Passo ottico di 6 mm Conforme alla direttiva RoHS _________________

---

* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.