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Microchip a fotodiodo S570
InGaAsInP

Microchip a fotodiodo - S570 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP
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Caratteristiche

Specificazioni
a fotodiodo, InP, InGaAs

Descrizione

Il sensore ottico di prossimità è un chip fotodiodo InGaAs/InP a illuminazione dall'alto, con struttura planare, anodo sul lato anteriore e catodo sul lato posteriore; la dimensione dell'area attiva quadrata è di 570um*570um, con elevata ESD, bassa corrente di buio e altre caratteristiche, ha un'elevata risposta nella gamma di lunghezze d'onda di 1300nm~1550nm. La risposta nella gamma di lunghezze d'onda di 300nm~750nm è molto ridotta, il che risolve il problema della ricezione ottica dello schermo OLED. 1. Design ad alta scarica elettrostatica. 2. Anodo in alto e catodo sul retro. 3. Bassa corrente di buio. 4. Eccellente reattività ed elevato guadagno. 5. area attiva quadrata di 570μm x 570μm 6. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da Telcordia -GR-468-CORE. Applicazioni 1. Rilevamento della luce ambientale. 2. Disabilitazione del touch screen dei telefoni cellulari.

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