Microchip a fotodiodo XSJ-10-M-2000

InGaAsInP

Questo chip fotodiodo PIN monitor InGaAs/InP illuminato dall'alto ha un'ampia area attiva, con struttura planare, anodo in alto e catodo sul retro. La dimensione dell'area attiva è di Φ2000μm e la reattività è elevata nella regione di lunghezza d'onda da 980nm a 1620nm. Applicazione per il monitoraggio della potenza ottica in uscita dalla faccia posteriore di vari LD. 1. Struttura planare su substrato InP n+ con contatto anodico superiore. 2. Area attiva di Φ2000μm. 3. Alta responsabilità. 4. Bassa corrente di buio. 5. Bassa tensione di polarizzazione operativa. 6. -intervallo di funzionamento da 40℃ a 85℃. 7. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. test e ispezioni al 100%. 9. Sono disponibili chip di dimensioni personalizzate. Applicazioni 1. Monitoraggio della potenza del laser back facet.