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Microchip a fotodiodo XSJ-10-APD4-80-TR1

Microchip a fotodiodo - XSJ-10-APD4-80-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Microchip a fotodiodo - XSJ-10-APD4-80-TR1 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Caratteristiche

Specificazioni
a fotodiodo

Descrizione

Il chip fotodiodo a valanga (chip APD) è un tipo di dispositivo attivo che fornisce un guadagno incorporato e amplifica la fotocorrente. Questo prodotto è caratterizzato da un anodo sulla parte superiore e da un catodo sulla parte posteriore, con un'area attiva illuminata dall'alto di Φ80μm per un facile assemblaggio ottico; alta reattività, elevato fattore di moltiplicazione e bassa corrente di buio. Il chip APD ad alte prestazioni da 2,5 Gbps e il TO-CAN combinato TIA possono migliorare la sensibilità del ricevitore ottico e le applicazioni che consentono la trasmissione di dati per l'attuale fiber-to-the-home (FTTH). 1. Area attiva di Φ80μm. 2. Anodo in alto e catodo sul retro. 3. Bassa corrente di buio. 4. Eccellente reattività ed elevato guadagno. 5. Riflettività<1,5% a 1550nm±50nm, <6% a 1250nm~1700nm. 6. Velocità di trasmissione dati fino a 2,5 Gbps. 7. Eccellente affidabilità: Tutti i chip hanno superato i requisiti di qualificazione specificati da 8. Telcordia -GR-468-CORE. 8. test e ispezioni al 100%. 9. Conformità alla direttiva RoHS2.0 (2011/65/UE). Applicazioni 1. Rilevamento del raggio d'azione laser sicuro per gli occhi. 2. Riflettometro ottico nel dominio del tempo (OTDR). 3. Sistemi di comunicazione ottica.

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