Smussatrice elettrica GC-BD804
di precisioneper wafera 2 teste

Smussatrice elettrica - GC-BD804 - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - di precisione / per wafer / a 2 teste
Smussatrice elettrica - GC-BD804 - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - di precisione / per wafer / a 2 teste
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Caratteristiche

Azionamento
elettrica
Applicazioni
di precisione, per wafer
Altre caratteristiche
a 2 teste
Velocità di rotazione

Min.: 0 rpm
(0 rad.min-1)

Max.: 100.000 rpm
(628.318,5307 rad.min-1)

Descrizione

Introduzione del prodotto
Questo macchinario è progettato per lo smusso dei bordi dei wafer in silicio per semiconduttori ed è compatibile con wafer da 4", 6" e 8". Supporta l'elaborazione della superficie OF (Orientation Flat) e offre opzionalmente la lavorazione della scanalatura NOTCH. La macchina garantisce elevata precisione di lavorazione, produttività e funzionamento stabile per ambienti di produzione.

Parametri del prodotto
Dimensioni unità principale (L*W*H): 2.250 * 1.650 * 2.600 mm; Peso: 3.000 kg
Dimensioni wafer: 4", 6", 8"
Intervallo spessore wafer: 300 μm – 1.500 μm
Postazione di lavoro: Doppia postazione
Superficie di riferimento wafer: OF / Notch (Notch opzionale)
Ingombro attrezzatura (W*D*H): 2.250 * 1.650 * 2.600 mm
Precisione assi X/Y/Z di rettifica: ±1 μm; Precisione planare ventose in ceramica: ≤3 μm
Precisione faccia terminale e radiale mandrino banco di rettifica: ±1 μm; Precisione faccia terminale e radiale mandrino mola: ±1 μm
Diametro esterno mola: Φ202 mm; Foro di montaggio: Φ30 mm; Spessore mola: 20 mm
Velocità mola: 0–4.000 giri/min (personalizzabile)
Velocità mola Notch: 0–100.000 giri/min (personalizzabile)
Profili mola supportati: T, R, TT, RR, TR, ecc.
Misura spessore wafer: Contatto o senza contatto; precisione di ripetizione ±2 μm; punti di misura: 8 circonferenziali + 1 centro
Metodo di pulizia: Pulizia rotativa
Metodo di asciugatura: Asciugatura centrifuga
Carico/scarico: 4 cassette; 25 slot (regolabile)

Caratteristiche / specifiche tecniche
  • Modello: GC-BD804
  • Applicazione: Smusso dei bordi dei wafer semiconduttori (4", 6", 8")
  • Dimensioni unità principale (L*W*H): 2.250 * 1.650 * 2.600 mm
  • Peso unità: 3.000 kg
  • Intervallo spessore wafer: 300 μm – 1.500 μm
  • Configurazione postazioni: Doppia postazione per maggiore produttività
  • Elaborazione superficie di riferimento: OF; lavorazione Notch opzionale
  • Precisione posizionamento X/Y/Z: ±1 μm; precisione planare ventosa ceramica ≤3 μm
  • Precisione mandrino e mola (faccia terminale & radiale): ±1 μm
  • Mola: OD Φ202 mm, foro Φ30 mm, spessore 20 mm
  • Velocità mola configurabile su richiesta (0–4.000 giri/min); mola Notch (0–100.000 giri/min)
  • Tipi di mola supportati: T, R, TT, RR, TR, ecc.
  • Sistema di misura spessore: contatto o senza contatto; ripetibilità ±2 μm; 8 punti circonferenziali + centro
  • Processi integrati: pulizia rotativa e asciugatura centrifuga
  • Carico/scarico: 4 cassette con 25 slot regolabili
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.