Descrizione del prodottoFilo diamantato appositamente progettato per il taglio di wafer di silicio per semiconduttori e materiali in carburo. Garantisce un taglio stabile ed efficiente con ridotte rotture del filo. Dotato di un sistema di controllo automatico che minimizza le fluttuazioni del volume dell'abrasivo (sabbia), assicurando una distribuzione uniforme dell'abrasivo e una qualità di taglio costante. La produzione è sottoposta a monitoraggio ad alta definizione per la tracciabilità. Un processo di trattamento specifico migliora la tenacità e la resistenza all'abrasione del filo, riducendo le rotture.
Parametri del prodottoSpec. & Modello | Diametro del filo finito(μm) | Forza di rottura(N) | Scopo
45μm | 62±3 | ≥9 | Taglio semiconduttori in silicio
65μm | 77±3 | ≥15 | Taglio semiconduttori in silicio
70μm | 80±3 | ≥17 | Taglio semiconduttori in silicio
70μm (12 pollici dedicato) | 82±2 | ≥17 | Taglio semiconduttori in silicio
100μm | 111±3 | ≥29 | Taglio semiconduttori in silicio
Caratteristiche / specifiche tecniche- Diametri disponibili del filo finito: 45 μm, 65 μm, 70 μm, 70 μm (12 pollici dedicato), 100 μm.
- Specifiche di forza di rottura: 45 μm ≥9 N (62±3 riferimento), 65 μm ≥15 N (77±3 riferimento), 70 μm ≥17 N (80±3 riferimento), 70 μm 12 pollici ≥17 N (82±2 riferimento), 100 μm ≥29 N (111±3 riferimento).
- Applicazione principale: taglio di wafer di silicio e materiali in carburo nella produzione di semiconduttori.
- Progettazione: taglio stabile ed efficiente con ridotte rotture del filo.
- Sistema di controllo: controllo automatico del volume dell'abrasivo per minimizzare le fluttuazioni e garantire una distribuzione uniforme.
- Produzione e qualità: produzione sotto monitoraggio HD per tracciabilità completa.
- Trattamento del materiale: processo speciale per migliorare la tenacità e la resistenza all'abrasione del filo, riducendo le rotture.