I contatti stampati anteriori e posteriori sono sparati nello strato di giunzione PN per formare un contatto ohmico attraverso il processo di cottura, che permette all'energia elettrica raccolta dalle dita di fluire fuori attraverso le sbarre.
- Linea di produzione a doppio binario, la cremagliera e le parti elettriche sono completamente indipendenti senza interferire nelle operazioni l'una con l'altra.
- CT≤0.95s
- Alto rendimento: rendimento effettivo fino a 175.000 pezzi al giorno.
- Wafer di grado A, tasso di rottura mono 0,03%.
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