Macchina per deposizione PECVD PECVD

di strati sottili di silicio

·Lo strato di ossido a tunnel, lo strato i-poly e lo strato D-poly possono essere depositati nello stesso tubo del forno, il che contribuisce a ridurre le fasi del processo, a migliorare la resa e a ridurre efficacemente il tasso di rottura; ·Assenza di effetti da parete calda, pertanto il tubo di quarzo garantisce una lunga durata; ·Deposito leggermente avvolgente, facile da rimuovere; ·Doping preciso; possibilità di introdurre altri elementi di doping che migliorano l’efficienza, adatto all’espansione del processo e con ampio margine di miglioramento dell’efficienza; ·Tecnologia anticonduzione brevettata.