Substrato in ossido di almluminio

ceramicanitruro di alluminio

Panoramica del prodotto
I nostri substrati in nitruro di silicio (Si₃N₄, SN-90) combinano elevata conducibilità termica, alta resistenza meccanica ed eccellente tenacità, garantendo prestazioni stabili per applicazioni di elettronica ad alta potenza e gestione termica. Il coefficiente di espansione termica è vicino a quello del silicio e garantisce buona resistenza agli shock termici. Superfici lavorate con precisione e specifiche personalizzabili rendono questi substrati adatti a moduli IGBT, dissipatori ad alta potenza e moduli wireless avanzati.

Caratteristiche

• Elevata conducibilità termica (≥85 W/(m·K) a 25℃)
• Coefficiente di espansione vicino al wafer di silicio (2–4 ×10⁻⁶ mm/℃, 25–500℃)
• Alta resistenza a flessione (≥750 MPa) e durezza Vickers (≥14 GPa)

Applicazioni

• Moduli di potenza IGBT ad alta potenza
• Dissipatori e spreader termici ad alta potenza
• Moduli wireless avanzati e componenti RF

Tabella delle proprietà del materiale
Project | Test conditions | Unit | Si₃N₄ (SN-90)
Material | - | - | Si₃N₄
Appearance | - | - | grey
Surface roughness | Ra | μm | 0.2–0.75
Density | - | g/cm3 | ≥3.2
Physical properties - Bending strength | 3-point bending resistance | MPa | ≥750
Vickers hardness | Load 4.9 | GPa | ≥14
Water absorption | - | % | 0
Thermal performance - Thermal conductivity | 25℃ | W/(m·K) | ≥85
Linear thermal expansion coefficient | 25–500℃ | ×10^-6 mm/℃ | 2–4
Thermal shock resistance | 800℃ | Time | ≥10
Specific heat | - | J/(kg·K) | 680
Electrical properties - Dielectric constant | 1MHz/25℃ | - | 7–8
Dielectric loss | 1MHz/25℃ | ×10^-4 | ≤4
Volume resistivity | 25℃ | Ω·cm | > 10^14
Breakdown voltage | - | kV/mm | > 15

Specifiche e dimensioni
Material | Unit | Al₂O₃ | ZTA | AlN | Si₃N₄
Effective dimensions (A, B) | mm | 50.8–190 | 50.8–190 | 50.8–190 | 138 × 190
Thickness (T) | mm | 0.25–1.5 | 0.25–1.5 | 0.25–1.0 | 0.25, 0.32
Thickness tolerance | mm | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm) | ±5% (Min ±0.03mm)
Warpage (C) | mm | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3% | ≤0.3%
Surface roughness | μm | 0.2–0.6 | 0.2–0.5 | 0.2–0.75 | 0.2–0.75
Nota: dimensioni, spessore e rugosità superficiale personalizzabili

Processi

• Taglio e foratura laser
• Rettifica e lucidatura (controllo rugosità)

Tolleranze di lavorazione e finitura superficiale
Internal dimension tolerance (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.03mm
External dimension tolerance (Qualified) | ±0.15mm | (Special Grade) ±0.1mm
Hole tolerance (φ0.07–0.15mm) (Qualified) | ±0.05mm | (Special Grade) ±0.02mm
Hole tolerance (φ > 0.15mm) (Qualified) | ±0.1mm | (Special Grade) ±0.02mm
Surface roughness (Qualified) - Grinding: 0.3–0.6 μm; Fine grinding: 0.1–0.4 μm; Polishing: ≤0.1 μm
Surface roughness (Special Grade) - Grinding: 0.3–0.5 μm; Fine grinding: 0.1–0.3 μm; Polishing: ≤0.05 μm

Specifiche tecniche

• Nome commerciale: Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates
• Materiale: Si₃N₄ (SN-90)
• Aspetto: grey
• Rugosità superficiale: Ra 0.2–0.75 μm (a seconda del processo)
• Densità: ≥3.2 g/cm³
• Resistenza a flessione (3 punti): ≥750 MPa
• Durezza Vickers (carico 4.9): ≥14 GPa
• Assorbimento d'acqua: 0%
• Conducibilità termica (25℃): ≥85 W/(m·K)
• Coefficiente di espansione lineare (25–500℃): 2–4 ×10^-6 mm/℃
• Resistenza agli shock termici (800℃): ≥10
• Calore specifico: 680 J/(kg·K)
• Costante dielettrica (1MHz/25℃): 7–8
• Perdita dielettrica (1MHz/25℃): ≤4 ×10^-4
• Resistività volumetrica (25℃): >10^14 Ω·cm
• Tensione di rottura: >15 kV/mm
• Dimensione tipica Si₃N₄: 138 × 190 mm; spessori tipici: 0.25 mm, 0.32 mm (altre dimensioni e spessori personalizzabili)
• Tolleranza di spessore: ±5% (Min ±0.03 mm)
• Warpage: ≤0.3%
• Processi: taglio laser, rettifica e lucidatura; tolleranze disponibili per dimensioni interne/esterne e fori