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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Questa serie di diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) presenta una corrente di recupero inversa trascurabile, un'elevata capacità di sovracorrente e una temperatura di giunzione massima di 175 °C. Questa serie di ...
Tensione diretta: 1,5 V - 3 V
Tensione inversa: 1.250, 600, 650 V
... I diodi a recupero rapido di Renesas offrono tempi di recupero rapidi per la rettifica in applicazioni ad altissima frequenza. ...
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione diretta: 1,45 V - 2,2 V
Tensione inversa: 600 V - 1.200 V
... al carburo di silicio (SiC). La ST propone una gamma da 600 a 1200 V con diodi singoli e doppi incapsulati in contenitori di dimensioni comprese tra PowerFLATTM 8x8 e TO-247, incluso il TO-220 isolato in ceramica. I ...
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