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... Questa serie di diodi Schottky al carburo di silicio ( SiC) presenta una corrente di recupero inversa trascurabile, un'elevata capacità di sovracorrente e una temperatura di giunzione massima di 175 °C. Questa serie di diodi è ideale per ...
Tensione diretta: 1,45 V - 2,2 V
Tensione inversa: 600 V - 1.200 V
... al carburo di silicio ( SiC). La ST propone una gamma da 600 a 1200 V con diodi singoli e doppi incapsulati in contenitori di dimensioni comprese tra PowerFLATTM 8x8 e TO-247, incluso il TO-220 isolato in ceramica. I diodi SiC ...
Tensione diretta: 1,5 V - 3 V
Tensione inversa: 600, 1.250, 650 V
... I diodi a recupero rapido di Renesas offrono tempi di recupero rapidi per la rettifica in applicazioni ad altissima frequenza. ...
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Tempo di recupero più breve Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650 V
... Tempo di recupero più breve, per consentire la commutazione ad alta velocità. CARATTERISTICHE: Ridotta dipendenza dalla temperatura Possibilità di commutazione ad alta velocità Elevata capacità di corrente di picco ...
ROHM Semiconductor
Tensione inversa: 650, 1.200 V
... Applicazioni tipiche Raddrizzamento di alte frequenze Stadi di commutazione ad alta efficienza Diodi di correzione del fattore di potenza Diodi a ruota libera per inverter Grado commerciale/industriale Suffisso -Q: Conforme a AEC-Q101 ') Suffisso -AQ: ...
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