Diodo Schottky STPSC10065
standarddi raddrizzamentodi potenza

Diodo Schottky - STPSC10065 - STMicroelectronics - standard / di raddrizzamento / di potenza
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Caratteristiche

Tecnologia
Schottky
Montaggio
standard
Funzione
di raddrizzamento
Specifiche elettriche
di potenza, ad alta tensione
Caratteristiche tecniche
SiC
Tensione diretta

Max.: 2,2 V

Min.: 1,45 V

Tensione inversa

Max.: 1.200 V

Min.: 600 V

Descrizione

Oltre a garantire la conformità alle più severe normative sull'efficienza energetica (Energy Star, 80Plus e European Efficiency), i diodi al carburo di silicio della ST presentano caratteristiche dinamiche quattro volte migliori con una tensione in avanti (VF) inferiore del 15% rispetto ai diodi al silicio standard. I diodi al carburo di silicio appartengono alla nostra famiglia STPOWER. L'efficienza e la robustezza degli inverter solari, degli azionamenti dei motori, dei gruppi di continuità e dei circuiti dei veicoli elettrici sono quindi notevolmente migliorate dall'uso dei diodi al carburo di silicio (SiC). La ST propone una gamma da 600 a 1200 V con diodi singoli e doppi incapsulati in contenitori di dimensioni comprese tra PowerFLATTM 8x8 e TO-247, incluso il TO-220 isolato in ceramica. I diodi SiC nelle versioni da 10, 15 e 20 A sono recentemente incapsulati nel D2PAK, che presenta una distanza di creepage più ampia per garantire standard elettrici e di inquinamento più elevati.

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Fiere

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EMO 2025
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22-26 set 2025 Hannover (Germania)

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    SPS 2025
    SPS 2025

    25-27 nov 2025 Nürnberg (Germania) Hall 4 - Stand 271

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    * I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.