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Ponti di diodi di raddrizzamento
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ponte di diodi a giunzione p-n2W series
Tensione inversa: 50 V - 1.000 V
... La nostra gamma di raddrizzatori a ponte comprende versioni a montaggio superficiale e a foro passante. I raddrizzatori a ponte ad alta potenza sono disponibili nelle serie di contenitori isoCink+TM PB ...

Tensione inversa: 40 V - 100 V
... : Il SEMICONDUTTORE CENTRALE CBRHDSH1-100 è un raddrizzatore a ponte a onda intera in un resistente involucro stampato a superficie epossidica, progettato per applicazioni di raddrizzamento a onda intera ...
Central Semiconductor

Tensione inversa: 400 V
... raddrizzatore a ponte di silicio a onda piena montato in un basso profilo epossidico a superficie di montaggio epossidico caso stampato, utilizzando chip passivato vetro passivato. APPLICAZIONI: - Illuminazione a stato ...
Central Semiconductor

Tensione inversa: 100 V
Raddrizzatore a Ponte a Diodi Monofase AMB 25-01AS ENERGITM è un dispositivo a semiconduttore sostitutivo, analogico, alternativo ed equivalente per ponti a diodi monofase SKB 25/01 07238680 ...

Tensione inversa: 2 kV - 300 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd

Tensione inversa: 200, 125, 150, 100 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd

Tensione inversa: 10 kV - 30 kV
... Caratteristiche del prodotto 1. bassa perdita, bassa potenza, bassa potenza, alta capacità di sovratensione. 2. Tempo di risposta rapido ed efficiente. 3. Tj Gamma di temperatura del giunto operativo -40~+175 . 4. Protezione da valanghe ...
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