- Elettricità - Elettronica
- Componente Elettronico
- Ponte di diodi a giunzione p-n
- Central Semiconductor
Ponte di diodi a giunzione p-n CBRLD1 seriesSMDdi raddrizzamentoin silicio
Aggiungi ai preferiti
Confronta con altri prodotti
Vuoi acquistare direttamente?
Vai sul nostro Shop.
Caratteristiche
- Tecnologia
- a giunzione p-n
- Montaggio
- SMD
- Funzione
- di raddrizzamento
- Caratteristiche tecniche
- in silicio
- Tensione diretta
Max.: 1.000 V
Min.: 200 V
- Tensione inversa
Max.: 1.000 V
Min.: 200 V
Descrizione
La serie CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRLD1 è un raddrizzatore a ponte in silicio a onda intera montato in un contenitore epossidico a basso profilo stampato per il montaggio superficiale, che utilizza chip passivati in vetro.
MARCATURA: VEDERE LA TABELLA DEI CODICI DI MARCATURA ALLA PAGINA SEGUENTE
APPLICAZIONI:
- Illuminazione a stato solido (SSL)
- Raddrizzamento dell'ingresso dell'alimentazione
- Schiera di diodi di guida
CARATTERISTICHE:
- Bassa corrente di dispersione (10μA MAX @ VRRM)
- Contenitore a basso profilo (1,45 mm MAX)
---
Cataloghi
CBRLD1-08
5 Pagine
Ricerche correlate
- Diodo
- Modulo per transistor
- Diodo di tensione
- Diodo di raddrizzamento
- Diodo in silicio
- Diodo ad alta tensione
- Modulo per transistor di commutazione
- Diodo a grande velocità di commutazione
- Diodo per montaggio in superficie
- Transistor ad effetto di campo
- Modulo per transistor MOSFET
- Transistor bipolare
- Diodo PCB
- Ponte raddrizzatore di diodi
- Diodo a giunzione p-n
- Diodo Schottky
- Serie di diodi
- Diodo di corrente
- Modulo per transistor in silicio
- Diodo di commutazione
* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.