Ponte raddrizzatore di diodi a giunzione p-n CBRHD series
a pontedi raddrizzamentoin silicio

Ponte raddrizzatore di diodi a giunzione p-n - CBRHD series - Central Semiconductor - a ponte / di raddrizzamento / in silicio
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Caratteristiche

Tecnologia
a giunzione p-n
Montaggio
a ponte
Funzione
di raddrizzamento
Caratteristiche tecniche
in silicio
Tensione inversa

Max.: 1.000 V

Min.: 100 V

Descrizione

CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD-01 è un raddrizzatore a ponte a onda intera in silicio montato in un resistente contenitore epossidico stampato per il montaggio superficiale, che utilizza chip passivati in vetro. CODICE DI MARCATURA: CBD1 I dispositivi della serie CENTRAL SEMICONDUCTOR CBRHD sono raddrizzatori a ponte a onda piena in silicio montati in un resistente contenitore epossidico a montaggio superficiale, che utilizza chip passivati in vetro. CARATTERISTICHE: - Uso efficiente dello spazio sulla scheda: richiede solo 42 mm2 di spazio sulla scheda rispetto ai 120 mm2 necessari per i raddrizzatori a ponte a montaggio superficiale da 1,0 ampere standard del settore. - Densità (Amps/mm2) superiore del 50% rispetto al raddrizzatore a ponte a montaggio superficiale da 1,0 Amp standard del settore. - Chip passivati in vetro per un'elevata affidabilità

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* I prezzi non includono tasse, spese di consegna, dazi doganali, né eventuali costi d'installazione o di attivazione. I prezzi vengono proposti a titolo indicativo e possono subire modifiche in base al Paese, al prezzo stesso delle materie prime e al tasso di cambio.