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Corrente: -4 A
Tensione: -20 V
... con un diodo di protezione G-S. Bassa resistenza di accensione -azionamento a 1,5 V Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo contenitore DFN Piombatura senza Pb; conforme a RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 3 A
Tensione: 80 V
... di tipo automobilistico qualificato secondo AEC-Q101. Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo pacchetto a montaggio superficiale (TSMT6) Piombatura senza Pb; conforme a RoHS Qualificato AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 4 A
Tensione: 20 V
... automobilistico qualificato secondo AEC-Q101. 1.azionamento a 5 V Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo pacchetto a montaggio superficiale (TSMT3) Qualificato AEC-Q101 ...
ROHM Semiconductor
Corrente: -3,5 A
Tensione: -20 V
... di tipo automobilistico qualificato secondo AEC-Q101. Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo pacchetto a montaggio superficiale (TSMT6) Placcatura senza piombo; conforme alla normativa ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 2 A
Tensione: 45 V
... affidabilità, adatto per applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo contenitore a montaggio superficiale (TSMT3) a risparmio di spazio Piombatura senza Pb; ...
ROHM Semiconductor
Corrente: -2,5 A
Tensione: -30 V
... con diodo di protezione G-S, adatto alla commutazione. Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo pacchetto a montaggio superficiale (TSMT3) Placcatura senza piombo; conforme alla normativa ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 2,5 A
Tensione: 30 V
... RTR025N03HZG è un transistor di tipo automobilistico ad alta affidabilità, adatto per applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione Diodo di protezione G-S incorporato Piccolo pacchetto ...
ROHM Semiconductor
Corrente: -5 A
Tensione: -12 V
... G-S integrato per applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione. Diodo di protezione G-S incorporato. Piccolo pacchetto di montaggio superficiale (TSMT6). Placcatura senza piombo; conforme alla normativa RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 3,5 A
Tensione: 30 V
... G-S integrato per applicazioni di commutazione. Bassa resistenza di accensione. Diodo di protezione G-S incorporato. Piccolo pacchetto di montaggio superficiale (TSMT6). Placcatura senza piombo; conforme alla normativa RoHS. ...
ROHM Semiconductor
Tensione: 45 V
... I tipi BCX51, BCX52 e BCX53 di CENTRAL SEMICONDUCTOR sono transistori al silicio PNP prodotti con processo planare epitassiale, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettati per ...
Central Semiconductor
Tensione: 50, 60, 7 V
... di Central Semiconductor (due transistor NPN singoli) è una combinazione duale in un contenitore SOT-363 ULTRAmini™ di minimo ingombro, progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori generici a piccolo ...
Central Semiconductor
Tensione: 50 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 sono transistor PNP al silicio prodotti con processo planare epitassiale, stampati in resina epossidica in un contenitore a montaggio superficiale, progettati per applicazioni ...
Central Semiconductor
Tensione: 60 V
... DESCRIZIONE: Il SEMICONDUTTORE CENTRALE BCV47 è un transistor NPN Darlington in silicio NPN prodotto con il processo planare epitassiale, stampato epossidico in un pacchetto a montaggio superficiale, progettato per applicazioni ...
Central Semiconductor
Tensione: 60, 80 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G è un transistor NPN a bassissima VCE(SAT), progettato per applicazioni in cui le dimensioni ridotte e l'efficienza sono i requisiti principali. Confezionato in un contenitore a montaggio ...
Central Semiconductor
Corrente: 0,8 A
Tensione: 50 V
... Guadagno di corrente DC hFE Max.:400 Guadagno di corrente DC hFE Min.:160 Descrizione: TO-92, 50V, 0.8A, 0.8A, NPN transistor bipolare IC (A):0.8 PD (W): 0.625 Pacchetto: TO-92 Polarità:NPN Stato:Attivo TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tensione: 50, 100 V
... Il FMMT413 è un transistor bipolare planare bipolare in silicio NPN ottimizzato per il funzionamento in modalità valanga. Lo stretto controllo di processo e il confezionamento a bassa induttanza si combinano per produrre ...
Diodes Incorporated
Corrente: 0,5 A - 2 A
Tensione: 30 V - 140 V
... Caratteristiche e vantaggi BVCEO > -60V Darlington Transistor hFE > 10k @ 100mA per un alto guadagno IC = -500mA Elevata corrente continua del collettore Complementare Darlington tipo PNP: BCV47 Totalmente senza ...
Diodes Incorporated
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