Sistema di test di impedenza FTI-1000 Wafer HV

di fattore di capacitàper ricerca e sviluppoper l'industria elettronica

Panoramica prodotto Il FTI‑1000 Wafer HV è un sistema ATE a livello wafer progettato per test ad alta copertura di dispositivi discreti di potenza e tecnologie wide‑bandgap. La variante Wafer HV fornisce sorgenti DC e AC ad alta tensione ed è destinata ad applicazioni probe single‑site con requisiti fino a 6 kV DC e 5,5 kV AC.

Moti per la scelta

• Configurazione flessibile — Architettura modulare Tester‑per‑Channel Board che consente risorse indipendenti ed espansione scalabile
• Copertura elettrica completa — Supporta test parametrici DC e AC necessari per la caratterizzazione di MOSFET e dispositivi di potenza
• Controllo software accessibile — FTI Studio facilita il bring‑up della probe‑card, lo sviluppo dei programmi di test e il debug per team di engineering e produzione

Descrizione dettagliata Il FTI‑1000 supporta la caratterizzazione ingegneristica e il wafer sort ad alto volume con risorse di test DC e AC indipendenti in grado di misurare parametri MOSFET chiave: caratteristiche DC, ΔVsd, switching induttivo (UIL/UIS/CIS), carica di gate e resistenza di gate. L’architettura modulare basata su USB consente una semplice espansione e un partizionamento flessibile delle risorse per workflow probe single‑site e multisite. Il sistema si integra con wafer prober automatici e interfacce probe‑card senza vincoli su piattaforme meccaniche specifiche, supportando sviluppo di processo, caratterizzazione precoce e wafer sort in produzione.

Funzionalità / Configurazioni

• Varianti: Wafer HV (alta tensione) e Wafer MV (media tensione)
• Numero di siti di test — Wafer HV: 1; Wafer MV: fino a 16
• Test parametrici DC — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, ecc.
• Misure di gate — Rg, Cg, Qg; opzioni Rg selezionabili/enfichabili (0, 10, 25, 50 Ω e R enfichabile dall'utente)
• Sorgenti AC — Wafer HV: 5,5 kV AC; Wafer MV: 1,2 kV AC
• Corrente di commutazione AC — Wafer HV: fino a 200 A; Wafer MV: fino a 100 A
• Energia di valanga — >10 J (entrambe le varianti)
• Opzioni induttore di carico — induttori discreti enfichabili o box di induttori selezionabile

Specifiche tecniche

• Famiglia modello: FTI‑1000 Wafer
• Applicazione primaria: Test wafer‑level per dispositivi discreti di potenza e componenti wide‑bandgap
• Architettura: Tester‑per‑Channel Board modulare, framework USB; scalabile per applicazioni probe single‑site e multisite
• Software: FTI Studio — bring‑up probe‑card, sviluppo programmi di test, acquisizione forme d’onda, generazione automatica di data‑sheet, schmoo plotting, analisi PAT secondo AEC‑Q001 Rev. C
• Tensione sorgente DC — Wafer HV: 6 kV; Wafer MV: 1,2 kV
• Range corrente di pilotaggio — Wafer HV: da 10 mA; Wafer MV: da 25 mA
• Corrente di commutazione di picco — Wafer HV: fino a 200 A; Wafer MV: fino a 100 A
• IO digitali: Opzione per 8 canali digitali indipendenti (IC Channel Board)
• Opzioni plug‑in: estensioni alta tensione, moduli impulsivi ad alta corrente, digitizer, misura Rg basata su LCR
• Ingombro fisico: Sistema 541 × 345 × 206 mm; alimentatore 345 × 176 × 103 mm
• Settori previsti: Automotive, industriale e dispositivi wide‑bandgap per sviluppo e produzione