Modulo per transistor IGBT SNXH800H120L7QDSG
di potenzadi commutazione

Modulo per transistor IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - di potenza / di commutazione
Modulo per transistor IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - di potenza / di commutazione
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Caratteristiche

Tipo
IGBT
Tecnologia
di commutazione, di potenza
Corrente

800 A

Tensione

1.200 V

Descrizione

SNXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, permettendo ai progettisti di ottenere un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore. Applicazioni Conversione CC-AC Conversione DC-DC Conversione AC-DC Prodotti finali Veicoli agricoli commerciali (CAV) Caratteristiche IGBT e diodi Gen.7 con arresto sul campo modulo di alimentazione IGBT con configurazione a mezzo ponte 2 in 1 Piastra di base isolata Termistore NTC Pin saldabili Layout a bassa induttività

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