Transistori di commutazione Onsemi

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modulo per transistor IGBT
modulo per transistor IGBT
NXH800H120L7QDSG

Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V

... NXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, ...

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modulo per transistor IGBT
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SNXH800H120L7QDSG

Corrente: 800 A
Tensione: 1.200 V

... SNXH800H120L7QDSG è un modulo di potenza IGBT a mezzo ponte nominale. Gli IGBT Field Stop Trench 7 e i diodi Gen. 7 integrati consentono di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione, ...

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transistor bipolare
transistor bipolare
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Corrente: 15 A
Tensione: 60 V - 120 V

... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni audio, motori passo-passo e altre applicazioni lineari ad alta potenza. Può essere utilizzato anche nei circuiti di commutazione di potenza, ...

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Corrente: 15 A
Tensione: 60 V - 120 V

... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni audio, motori passo-passo e altre applicazioni lineari ad alta potenza. Può essere utilizzato anche nei circuiti di commutazione di potenza, ...

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transistor bipolare
transistor bipolare
MJF6388

Corrente: 10 A
Tensione: 100 V

... Il transistor di potenza bipolare è progettato per applicazioni di commutazione e amplificatori generici, in cui la superficie di montaggio del dispositivo deve essere isolata elettricamente dal dissipatore ...

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