Fotodiodo in silicio S14644-02
LIDAR

fotodiodo in silicio
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Caratteristiche

Specificazioni
in silicio, LIDAR

Descrizione

APD a Si compatto e ad alta velocità per LiDAR (banda 800 nm) con funzionamento a basso bias Questo APD a Si è adatto a rilevare la luce nella banda degli 800 nm, sempre più utilizzata nei telemetri ottici. Con la stessa forma del prodotto precedente (serie S10341), questo APD al Si è caratterizzato da una minore variazione della tensione di breakdown, da una ridotta corrente di buio e da temperature di stoccaggio e di funzionamento più elevate. Caratteristiche - Pacchetto di dimensioni ridotte: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Lunghezza d'onda di sensibilità di picco: 800 nm (M=100) - Funzionamento a basso bias: Tensione di breakdown=180 V max. - Risposta ad alta velocità: Frequenza di taglio=1,2 GHz tipico (λ=800 nm, M=100) - Riduzione della variazione della tensione di breakdown: 160 ± 20 V Specifiche tecniche - Tipo : Per LiDAR - (banda 800 nm, funzionamento a basso bias) - Area fotosensibile : φ0,2 mm - Confezione : plastica - Categoria del pacchetto : Tipo a montaggio superficiale - Lunghezza d'onda di picco della sensibilità (tipica) : 800 nm - Intervallo di risposta spettrale: da 400 a 1000 nm - Fotosensibilità (tipica) : 0,52 A/W - Corrente di buio (max.) : 0,3 nA - Frequenza di taglio (tipica): 1200 MHz - Capacità terminale (tipica) : 0,6 pF - Tensione di breakdown (tipica) : 160 V - Coefficiente di temperatura della tensione di breakdown (tipico) : 0,63 V/℃ - Guadagno (tipico): 100

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ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 giu 2024 Frankfurt am Main (Germania) Hall 11.1 - Stand F62

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