Fotodiodo in silicio S14645-05
LIDAR

fotodiodo in silicio
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Caratteristiche

Specificazioni
in silicio, LIDAR

Descrizione

APD al Si ad alta velocità e compatto per LiDAR (banda 900 nm) con funzionamento a bassa bias Questo Si APD è adatto a rilevare la luce nella banda dei 900 nm, che è sempre più utilizzata nei telemetri ottici. Con la stessa forma del prodotto precedente (serie S12926), questo Si APD è caratterizzato da una minore variazione della tensione di breakdown, da una ridotta corrente di buio e da temperature di stoccaggio e di funzionamento ampliate. Caratteristiche - Pacchetto piccolo: 3.1 × 1.8 × 1.0t mm - Lunghezza d'onda di sensibilità di picco: 840 nm (M=100) - Funzionamento a basso bias: Tensione di breakdown=195 V max. - Risposta ad alta velocità: Frequenza di taglio=600 MHz tip. (λ=900 nm, M=100) - Riduzione della variazione della tensione di breakdown: 175 ± 20 V Specifiche Tipo: Per LiDAR (banda 900 nm, funzionamento a basso bias) Area fotosensibile : φ0.5 mm Pacchetto : Plastica Categoria del pacchetto : Tipo a montaggio superficiale Lunghezza d'onda della sensibilità di picco (tip.) : 840 nm Gamma di risposta spettrale: da 400 a 1100 nm Fotosensibilità (tip.) : 0.5 A/W Corrente oscura (max.): 0,8 nA Frequenza di taglio (tip.): 600 MHz Capacità terminale (tip.): 1 pF Tensione di rottura (tip.): 175 V Coefficiente di temperatura della tensione di breakdown (tip.): 1,1 V/℃ Guadagno (tipico): 100 Condizione di misura : Tip. Ta=25 ℃, salvo diversa indicazione, Fotosensibilità: λ=900 nm, M=1

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ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 giu 2024 Frankfurt am Main (Germania) Hall 11.1 - Stand F62

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